由于半導體制造是在硅片上加工出各種微觀結構，因此除了原始的硅基材料外還需要通過薄膜“加法”引入非硅材料（如非硅介質層、金屬層）實現不同功能。除添加新材料外，薄膜工藝還具有隔離保護高活性材料（如Si、Cu），防止污染和腐蝕。薄膜工藝也會承擔一部分光阻的職能，常用于產生提高吸光率的減反射膜、硬掩模等。

半導體IC芯片制造工藝

半導體芯片生產主要分為IC設計、IC制造、IC封測三大環節。IC設計主要根據芯片的設計目的進行邏輯設計和規則制定，并根據設計圖制作掩模以供后續光刻步驟使用。IC制造實現芯片電路圖從掩模上轉移至硅片上，并實現預定的芯片功能，包括光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學機械研磨等步驟。IC封測完成對芯片的封裝和性能、功能測試，是產品交付前的最后工序。

薄膜沉積工藝

集成電路薄膜沉積工藝可分為物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）和外延三大類。PVD是指通過熱蒸發或者靶表面受到粒子轟擊時發生原子濺射等物理過程，實現上述物質原子轉移至硅片表面并形成薄膜的技術，多應用于金屬的沉積；CVD是指通過氣體混合的化學反應在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、多晶硅以及金屬膜層的沉積；外延是一種在硅片表面按照襯底晶向生長單晶薄膜的工藝。

數據來源：行行查，行業研究數據庫

薄膜沉積市場現狀

薄膜沉積指通過物理或化學等方在基片上沉積各種材料的過程，常見的有物理氣相沉積（PVD）、化學沉積（CVD）及原子層沉積（ALD）等各種方法。據Maximize  Market  Research數據，2017~2020年全球薄膜沉積設備市場規模CAGR為11.2%，2020年達172億美元，其中PECVD、ALD及濺射PVD為最主要設備，合計占比達63%。