薄膜沉積是半導體制造工藝中的一個非常重要的技術，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴散及在適當的位置下聚結，以漸漸形成薄膜并成長的過程。在一個新晶圓投資建設中，晶圓廠80%的投資用于購買設備。其中，薄膜沉積設備是晶圓制造的核心步驟之一，占據著約25%的比重。

薄膜沉積工藝主要分為物理氣相沉積和化學氣相沉積兩類。物理氣相沉積(Physical Vapour Deposition，PVD)技術指在真空條件下，采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。物理氣相沉積原理可大致分為蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍，具體又包含有MBE等各種鍍膜技術。發展到目前，物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。

隨著技術的發展，PVD技術也不斷推陳出新，出現了很多針對某幾種用途的專門技術，在此特為大家盤點介紹各種PVD技術。

真空蒸發鍍膜技術

真空蒸發(Vacuum Evaporation) 鍍膜是在真空條件下，用蒸發器加熱蒸發物質，使之升華，蒸發粒子流直接射向基片，并在基片上沉積形成固態薄膜，或加熱蒸發鍍膜材料的真空鍍膜方法。其物理過程為：采用幾種能源方式轉換成熱能，加熱鍍料使之蒸發或升華，成為具有一定能量(0.1~0.3eV) 的氣態粒子(原子、分子或原子團)；離開鍍料表面，具有相當運動速度的氣態粒子以基本上無碰撞的直線飛行輸運到基體表面；到達基體表面的氣態粒子凝聚形核生長成固相薄膜；組成薄膜的原子重組排列或產生化學鍵合。

電子束蒸鍍技術

電子束蒸鍍（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種。與傳統蒸鍍方式不同，電子束蒸鍍利用電磁場的配合可以精準地實現利用高能電子轟擊坩堝內靶材，使之融化進而沉積在基片上。電子束蒸鍍常用來制備Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蝕和耐高溫氧化膜。

電子束蒸鍍與利用電阻進行蒸鍍最大的優勢在于：可以為待蒸發的物質提供更高的熱量，因此蒸鍍的速率也更快；電子束定位準確，可以避免坩堝材料的蒸發和污染。但是由于蒸鍍過程中需要持續水冷，對能量的利用率不高；而且由于高能電子可能帶來的二次電子可能使殘余的氣體分子電離，也有可能帶來污染。此外，大多數的化合物薄膜在被高能電子轟擊時會發生分解，這影響了薄膜的成分和結構。

濺射鍍膜技術

濺射鍍膜技術是用離子轟擊靶材表面，把靶材的原子被擊出的現象稱為濺射。濺射產生的原子沉積在基體表面成膜稱為濺射鍍膜。通常是利用氣體放電產生氣體電離，其正離子在電場作用下高速轟擊陰極靶體，擊出陰極靶體原子或分子，飛向被鍍基體表面沉積成薄膜。

射頻濺射技術

射頻濺射是濺射鍍膜技術的一種。用交流電源代替直流電源就構成了交流濺射系統，由于常用的交流電源的頻率在射頻段，如13.56MHz，所以稱為射頻濺鍍。

在直流射頻裝置中，如果使用絕緣材料靶，轟擊靶面的正離子會在靶面上累積，使其帶正電，靶電位從而上升，使得電極間的電場逐漸變小，直至輝光放電熄滅和濺射停止。所以直流濺射裝置不能用來濺射沉積絕緣介質薄膜。

磁控濺射技術

磁控濺射技術屬于PVD（物理氣相沉積）技術的一種，是制備薄膜材料的重要方法之一。它是利用帶電荷的粒子在電場中加速后具有一定動能的特點，將離子引向被濺射的物質制成的靶電極（陰極），并將靶材原子濺射出來使其沿著一定的方向運動到襯底并在襯底上沉積成膜的方法。磁控濺射設備使得鍍膜厚度及均勻性可控，且制備的薄膜致密性好、粘結力強及純凈度高。該技術已經成為制備各種功能薄膜的重要手段。

離子鍍膜技術

離子鍍是在真空蒸發鍍和濺射鍍膜的基礎上發展起來的一種鍍膜新技術，將各種氣體放電方式引入到氣相沉積領域，整個氣相沉積過程都是在等離子體中進行，其中包括磁控濺射離子鍍、反應離子鍍、空心陰極放電離子鍍（空心陰極蒸鍍法）、多弧離子鍍（陰極電弧離子鍍）等。離子鍍大大提高了膜層粒子能量，可以獲得更優異性能的膜層，擴大了“薄膜”的應用領域。是一項發展迅速、受人青睞的新技術。

廣義來講，離子鍍膜的特點是：鍍膜時，工件（基片）帶負偏壓，工件始終受高能離子的轟擊。形成膜層的膜基結合力好、膜層的繞鍍性好、膜層組織可控參數多、膜層粒子總體能量高，容易進行反應沉積，可以在較低溫度下獲得化合物膜層。

多弧離子鍍(MAIP)

多弧離子鍍是采用電弧放電的方法，在固體的陰極靶材上直接蒸發金屬，蒸發物是從陰極弧光輝點放出的陰極物質的離子，從而在基材表面沉積成為薄膜的方法。

多弧離子鍍與一般的離子鍍有著很大的區別。多弧離子鍍采用的是弧光放電，而并不是傳統離子鍍的輝光放電進行沉積。簡單的說，多弧離子鍍的原理就是把陰極靶作為蒸發源，通過靶與陽極殼體之間的弧光放電，使靶材蒸發，從而在空間中形成等離子體，對基體進行沉積。

分子束外延（MBE）

分子束外延（MBE）是新發展起來的外延制膜方法，是一種在晶體基片上生長高質量的晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長”在基片上形成薄膜。

該技術的優點是：使用的襯底溫度低，膜層生長速率慢，束流強度易于精確控制，膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調整。用這種技術已能制備薄到幾十個原子層的單晶薄膜，以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結構材料。

分子束外延不僅可用來制備現有的大部分器件，而且也可以制備許多新器件，包括其它方法難以實現的，如借助原子尺度膜厚控制而制備的超晶格結構高電子遷移率晶體管和多量子阱型激光二極管等。我們在公車上看到的車站預告板，在體育場看到的超大顯示屏，其發光元件就是由分子束外延制造的。

脈沖激光沉積（PLD）

脈沖激光沉積（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被稱為脈沖激光燒蝕（pulsed laser ablation，PLA），是一種利用激光對物體進行轟擊，然后將轟擊出來的物質沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。

由脈沖激光沉積技術的原理、特點可知，它是一種極具發展潛力的薄膜制備技術。隨著輔助設備和工藝的進一步優化，將在半導體薄膜、超晶格、超導、生物涂層等功能薄膜的制備方面發揮重要的作用；并能加快薄膜生長機理的研究和提高薄膜的應用水平，加速材料科學和凝聚態物理學的研究進程。同時也為新型薄膜的制備提供了一種行之有效的方法。

激光分子束外延（L-MBE）

激光分子束外延技術（L-MBE）是近年來發展起來的一項新型薄膜制備技術，是將分子束外延技術與脈沖激光沉積技術的有機結合，在分子束外延條件下激光蒸發鍍膜的技術。

L- MBE結合了PLD的高瞬時沉積速率（不需要考慮成分揮發時的熱平衡問題等等）及MBE的實時檢測功能，是一種改良的MBE方法。

近年來，薄膜技術和薄膜材料的發展突飛猛進，成果顯著，在原有基礎上，相繼出現了離子束增強沉積技術、電火花沉積技術、電子束物理氣相沉積技術和多層噴射沉積技術等。

目前，芯片制造過程中關鍵的PVD設備主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD設備、銅互聯（CuBS）PVD 以及鋁襯墊（Al PAD）PVD，主要使用濺射鍍膜技術。