真空鍍膜的物理過程
PVD（物理氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：
（1）鍍料的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源
（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。
（3) 鍍料粒子在基片表面的沉積

薄膜的形成順序為：具有一定能量的原子被吸附→形成小原子團→臨界核→小島→大島→島結合→溝道薄膜→連續薄膜。因此薄膜的形成過程可分為四個階段；臨界核的形成；島的形成、長大與結合；溝道薄膜的形成和連續膜的形成。

真空鍍膜的工藝流程
真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學清洗（表面打磨拋光噴砂，除銹除油去氧化層）→工件在真空中烘烤加熱→氬離子輝光清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應氣體）→后處理（爐內鈍化或出爐后鈍化去應力或防止變色，過UV做防指膜處理等）。